錯体配位子ドーピングによる多孔性配位高分子の高機能化

• Inorg. Chem. 2015, 54, 2522–2535.

Co(III)錯体配位子からなる多孔性配位高分子に対して、同形のRu(II)錯体配位子を不純物的にドーピングすることに成功しました。異なる電荷を有する錯体配位子を混合できたことで、多孔性配位高分子のガス吸蔵特性や構造柔軟性などを大幅に制御できる新しい手法として期待されます。