白金(II)カテコラト錯体修飾ITO電極の調製

• Chem. Lett. 2014, 43, 1189–1191.

ITO（Indium-doped Tin Oxide）電極上への修飾を目指し、レドックス活性な白金(II)カテコラト錯体にアンカー基としてホスホン酸部位を導入しました。実際にこの錯体を電極上に固定化して電気化学測定を行ったところ、カテコラト配位子由来の酸化還元波が可逆に観測され、電極表面に錯体の単分子膜が形成したことが確認されました。